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 Dual-Gate Characteristics of Amorphous $ \hbox{InGaZnO}_{4}$ Thin-Film Transistors as Compared to Those of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin-Film Transistors |
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kazushige Takechi; Mitsuru Nakata; Kazufumi Azuma; Hirotaka Yamaguchi; Setsuo Kaneko 出版日期：2009-07-30 |
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