Infinitely high etch selectivity during CH4/H2/Ar inductively coupled plasma (ICP) etching of indium tin oxide (ITO) with photoresist mask

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标题	Infinitely high etch selectivity during CH4/H2/Ar inductively coupled plasma (ICP) etching of indium tin oxide (ITO) with photoresist mask
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S00406...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	落寞的半仙在 2026-07-17 19:44:30 发布自广东，悬赏 10 积分
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American Society of Civil Engineers (ASCE)

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