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 TCAD Analysis of Single-Event Burnout Hardness for an Improved CoolSiC Trench MOSFET 一种改进型CoolSiC沟槽MOSFET单事件烧损硬度的TCAD分析
相关领域
材料科学
MOSFET
沟槽
倦怠
光电子学
工程物理
电气工程
心理学
复合材料
工程类
晶体管
临床心理学
电压
图层（电子）
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Dexin Chen; Ying Wang; Yan-Xing Song; Wei Zhang 出版日期：2024-07-02 |
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