Gate voltage-controlled spin-rectifier diode based on Janus transition metal nitride MXene with spin gapless semiconductor

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标题	Gate voltage-controlled spin-rectifier diode based on Janus transition metal nitride MXene with spin gapless semiconductor 基于Janus过渡金属氮化物MXene和自旋无隙半导体的栅压控制自旋整流二极管相关领域自旋电子学凝聚态物理整改自旋极化半导体磁性半导体材料科学光电子学物理铁磁性电压量子力学电子
网址	https://doi.org/10.1016/j.diamond.2023.110641
DOI	10.1016/j.diamond.2023.110641 doi
其它	期刊：Diamond and Related Materials 作者：Pengwei Gong; Xiaolin Zhang; Fangqi Liu; Sicong Zhu 出版日期：2023-11-18
求助人	瘦瘦初珍在 2025-12-31 13:55:58 发布自福建，悬赏 10 积分
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