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Electrical and microscopic characterization of p+-type layers formed in HgCdTe by arsenic implantation |
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:I I Izhnin; K D Mynbaev; A V Voitsekhovskii; S N Nesmelov; S M Dzyadukh; et al 出版日期:2020 |
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(2025-6-4)