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标题
Suppression of partial dislocation glide motion during contraction of stacking faults in SiC epitaxial layers by hydrogen ion implantation
氢离子注入抑制SiC外延层中层错收缩过程中的部分位错滑移运动
相关领域
堆积 材料科学 部分位错 外延 位错 光电子学 叠加断层 凝聚态物理 复合材料 核磁共振 物理 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/acb585
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1882-0786/acb585 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Shunta Harada; Hitoshi Sakane; Toshiki Mii; Masashi Kato
出版日期：2023-01-23
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好好 在 2025-12-06 15:52:36 发布自江苏，悬赏 10 积分
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