| 标题 |
  Analysis of Ruggedness of 4H-SiC Power MOSFETs with Various Doping Parameters 不同掺杂参数下4H-SiC功率MOSFET的鲁棒性分析
相关领域
材料科学
MOSFET
功率MOSFET
兴奋剂
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功率（物理）
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期刊：Applied Sciences 作者：Min-Seok Jang; Jee-Hun Jeong; Joo‐Ho Lee 出版日期：2022-12-29 |
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