标题 |
The role of boron related defects in limiting charge carrier lifetime in 4H–SiC epitaxial layers
硼相关缺陷在限制4H-SiC外延层载流子寿命中的作用
相关领域
材料科学
载流子寿命
深能级瞬态光谱
外延
光致发光
接受者
载流子
光电子学
碳化硅
带隙
兴奋剂
硅
凝聚态物理
纳米技术
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物理
冶金
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其它 |
期刊:APL materials 作者:Misagh Ghezellou; Piyush Kumar; Marianne Etzelmüller Bathen; Robert Karsthof; Einar Ö. Sveinbjörnsson; et al 出版日期:2023-03-01 |
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