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Direct Assessment of Defective Regions in Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors through In Situ Scanning Probe Microscopy Measurements
通过原位扫描探针显微镜测量直接评估单层MoS2场效应晶体管中的缺陷区域
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材料科学
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纳米技术
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期刊:ACS nano 作者:Albert Minj; Vivek Mootheri; Shaibal Banerjee; Ankit Nalin Mehta; Jill Serron; et al 出版日期:2024-04-01 |
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