| 标题 |
  TCAD Modeling of the Dynamic V TH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs 相关领域
磁滞
肖特基势垒
材料科学
光电子学
量子隧道
晶体管
肖特基二极管
电子工程
电压
凝聚态物理
电气工程
物理
工程类
二极管
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Andrea Natale Tallarico; M. Millesimo; Benoit Bakeroot; Matteo Borga; Niels Posthuma; et al 出版日期：2021-12-23 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
eric888
浮游
不配.
zcl
pcr163
tuanheqi
生动梦松
Dean
leaolf
子车茗
LaTeXer
菠菜
小青椒
风清扬
彭于彦祖
ephore
wop111
wwyy
GingerF
带头大哥
无极微光
唐泽雪穗
认真的不评
今天只做一件事
linkman
浮光
clazer
Singularity
皖公网安备34019202002308
