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2 kV β -Ga2O3 Schottky diode with HfO2/SiO2 dual-layer field plate and mesa termination |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Linhai Zhong; Xin Feng; Weihang Zhang; Xianhe Liu; Hong Zhou; et al 出版日期:2025-11-03 |
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