| 标题 |
 2 kV β -Ga2O3 Schottky diode with HfO2/SiO2 dual-layer field plate and mesa termination 相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
肖特基势垒
二极管
蚀刻（微加工）
电介质
电场
半导体
功勋
宽禁带半导体
图层（电子）
双层
兴奋剂
金属半导体结
带隙
电压
肖特基效应
击穿电压
砷化镓
高-κ电介质
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Linhai Zhong; Xin Feng; Weihang Zhang; Xianhe Liu; Hong Zhou; et al 出版日期：2025-11-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
热心市民小红花
大力的灵雁
畔畔
嘉心糖
贪玩的秋柔
学术文献互助
HH
乐空思
dew
lizishu
AdamJie
脑袋困掉了
蠢萌的小哈
AllRightReserved
小小
Criminology34
GingerF
芙蓉影破
wanci
皖公网安备34019202002308
