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标题
2 kV β -Ga2O3 Schottky diode with HfO2/SiO2 dual-layer field plate and mesa termination
相关领域
材料科学 光电子学 肖特基二极管 肖特基势垒 二极管 蚀刻(微加工) 电介质 电场 半导体 功勋 宽禁带半导体 图层(电子) 双层 兴奋剂 金属半导体结 带隙 电压 肖特基效应 击穿电压 砷化镓 高-κ电介质
网址
DOI
10.1063/5.0287147 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Linhai Zhong; Xin Feng; Weihang Zhang; Xianhe Liu; Hong Zhou; et al
出版日期:2025-11-03
求助人
JieFenceence 在 2025-11-10 10:38:30 发布自天津,悬赏 10 积分
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