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 2D Semiconductor FETs—Projections and Design for Sub-10 nm VLSI 2D半导体场效应晶体管。10纳米以下VLSI的投影和设计
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Wei Cao; Jiahao Kang; Deblina Sarkar; Wei Liu; Kaustav Banerjee 出版日期：2015-09-15 |
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