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 Ultra-low leakage current recess-free thin barrier AlGaN/GaN Schottky diodes featuring hybrid MOS/MIS GET anodes with optimized MOS-gate length and LPCVD SiNx thickness 具有优化MOS栅极长度和LPCVD SiNx厚度的混合MOS/MIS GET阳极的超低漏电流无凹槽薄势垒AlGaN/GaN肖特基二极管
相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
泄漏（经济）
二极管
化学气相沉积
阳极
肖特基势垒
电极
化学
宏观经济学
物理化学
经济
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| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Chee-How Lu; Xiang-You Ye; Chih-Yi Yang; Tsung-Ying Yang; You‐Chen Weng; et al 出版日期：2025-07-10 |
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