| 标题 |
Ultra-low leakage current recess-free thin barrier AlGaN/GaN Schottky diodes featuring hybrid MOS/MIS GET anodes with optimized MOS-gate length and LPCVD SiNx thickness 具有优化MOS栅极长度和LPCVD SiNx厚度的混合MOS/MIS GET阳极的超低漏电流无凹槽薄势垒AlGaN/GaN肖特基二极管
相关领域
材料科学
光电子学
肖特基二极管
泄漏(经济)
二极管
化学气相沉积
阳极
肖特基势垒
电极
化学
宏观经济学
物理化学
经济
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Chee-How Lu; Xiang-You Ye; Chih-Yi Yang; Tsung-Ying Yang; You‐Chen Weng; et al 出版日期:2025-07-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)