| 标题 |
 Field-Effect Transistor Based on MoSi$_{\text{2}}$N$_{\text{4}}$ Monolayer for Digital Logic Applications 用于数字逻辑应用的基于MoSi$_{\text{2}}$N$_{\text{4}}$单层的场效应晶体管
相关领域
单层
场效应晶体管
晶体管
领域（数学）
逻辑门
光电子学
计算机科学
材料科学
电气工程
物理
纳米技术
电压
工程类
数学
纯数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hamidreza Ghanbari Khorram; Samad Sheikhaei; Shoeib Babaee Touski; Alireza Kokabi 出版日期：2024-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
忧心的曼凝
MMMMM
Virtual
镓氧锌钇铀
遇上就这样吧
YifanWang
MchemG
顺利的琳
诚心的人雄
Yini
COSMAO
不安青牛
汉堡包
大模型
eric888
嘿嘿
飲啖茶食個包
raysong
PeterLin
科目三
皖公网安备34019202002308
