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 Realizing forming-free characteristic by doping Ag into HfO2-based RRAM 在HfO2基RRAM中掺杂Ag实现无成形特性
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期刊：Applied Physics Express 作者：Chung‐Wei Wu; Chun-Chu Lin; Po‐Hsun Chen; Ting‐Chang Chang; Kuan‐Ju Zhou; et al 出版日期：2021-03-26 |
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