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16kV 4H-SiC Reverse-Conducting IGBT with a Collector-side Injection-Enhanced structure for low Reverse-Conducting Voltage
16 kv 4 H-SiC反向导电型双极晶体管，采用集极侧注入增强结构，可实现低反向导电电压
相关领域
绝缘栅双极晶体管 材料科学 电压 电气工程 光电子学 反向偏压 宽禁带半导体 碳化硅 电子工程 工程类 复合材料
网址
https://doi.org/10.1109/led.2024.3386769
DOI
10.1109/led.2024.3386769 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Qisheng Yu; Jiaweiwen Huang; Zhigang Shen; Aohang Zhang; Wensuo Chen
出版日期：2024-04-10
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杨如画 在 2025-09-17 10:26:04 发布自陕西，悬赏 10 积分
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