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 Atomically controlled ultrathin 2H-VS2: A promising candidate for n-channel FET 相关领域
材料科学
X射线光电子能谱
拉曼光谱
单层
光电子学
场效应晶体管
带隙
光刻
电子迁移率
纳米技术
晶体管
化学计量学
化学气相沉积
场效应
宽禁带半导体
密度泛函理论
薄膜
图层（电子）
蚀刻（微加工）
过渡金属
电子结构
载流子
光电发射光谱学
热稳定性
半导体
电子能带结构
相变
直接和间接带隙
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Ankit Yadav; Surbhi Ramawat; Nikhil Kag; Sumit Kukreti; Chandra Prakash; et al 出版日期：2025-11-03 |
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