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  Back-end-of-line-compatible low-voltage operation in Hf0.5 Zr0.5O2 ferroelectric film enabled by in-situ lanthanum doping 相关领域
铁电性
材料科学
镧
电容器
光电子学
兴奋剂
正交晶系
极化（电化学）
电压
铁电电容器
奥里维里斯
原子层沉积
非易失性存储器
相（物质）
沉积（地质）
热的
电子工程
纳米技术
薄膜
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期刊：National Science Review 作者：Yinchi Liu; Kangli Xu; Shuqi Tang; Handong Zhu; Lin Chen; et al 出版日期：2026-01-30 |
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