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A 2.7 kV AlGaN/GaN high electron mobility transistor with an anti-parallel low turn-on voltage GaN Schottky barrier diode |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Lei Xie; Tao Zhang; Shengrui Xu; Huake Su; Hongchang Tao; et al 出版日期:2026-03-20 |
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