High-responsivity, high-detectivity, broadband infrared photodetector based on MoS2/BP/MoS2 junction field-effect transistor

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标题	High-responsivity, high-detectivity, broadband infrared photodetector based on MoS2/BP/MoS2 junction field-effect transistor
网址	https://doi.org/10.1063/5.0205803
DOI	10.1063/5.0205803 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiaosong Shu; Jianfeng Wu; Fan Zhong; Xinlei Zhang; Qiang Fu; et al 出版日期：2024-04-29
求助人	Quincy 在 2026-08-25 20:33:00 发布自江苏，悬赏 10 积分
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