Design consideration of ferroelectric field-effect-transistors with metal–ferroelectric–metal capacitor for ternary content addressable memory

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标题	Design consideration of ferroelectric field-effect-transistors with metal–ferroelectric–metal capacitor for ternary content addressable memory
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108674
DOI	10.1016/j.sse.2023.108674 doi
其它	期刊：Solid-state Electronics 作者：Boram Yi; Junghyeon Hwang; Tae Woo Oh; Sanghun Jeon; Seong‐Ook Jung; et al 出版日期：2023-05-24
求助人	kai 在 2026-07-02 22:01:05 发布自湖南，悬赏 10 积分
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