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 Negative Gate Bias TDDB evaluation of n-Channel SiC Vertical Power MOSFETs n沟道SiC垂直功率MOSFETs的负栅偏置TDDB评估
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
MOSFET
材料科学
栅氧化层
栅极电介质
功率MOSFET
负偏压温度不稳定性
光电子学
介电强度
金属浇口
晶体管
电气工程
电介质
工程类
电压
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期刊：2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Satyaki Ganguly; Daniel J. Lichtenwalner; Caleb Isaacson; D. A. Gajewski; Philipp Steinmann; et al 出版日期：2022-03-01 |
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