| 标题 |
 A 192-Gb 12-High 896-GB/s HBM3 DRAM With a TSV Auto-Calibration Scheme and Machine-Learning-Based Layout Optimization 采用TSV自动校准方案和基于机器学习的布局优化的192 GB 12高896-GB/s HBM3 DRAM
相关领域
德拉姆
电压
计算机科学
电子工程
带宽（计算）
可靠性（半导体）
校准
功率消耗
功率（物理）
电气工程
计算机硬件
工程类
电信
物理
量子力学
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| 其它 |
期刊：IEEE Journal of Solid-state Circuits 作者：Myeong-Jae Park; Jinhyung Lee; Kyungjun Cho; Jihwan Park; Junil Moon; et al 出版日期：2022-08-17 |
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