Improved reliability of a 2200 V SiC MOSFET module with an epoxy-encapsulated insulated metal substrate

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标题	Improved reliability of a 2200 V SiC MOSFET module with an epoxy-encapsulated insulated metal substrate 具有环氧树脂封装绝缘金属衬底的2200 V SiC MOSFET模块的改进可靠性
网址	http://dx.doi.org/10.30420/566262283
DOI	10.30420/566262283 doi
求助人	故渊在 2025-05-28 09:36:14 发布自广东，悬赏 10 积分
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