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 A High Channel Mobility and a Normally‐off Operation of a Vertical GaN Metal‐Oxide‐Semiconductor Field‐Effect Transistors using an AlSiO/AlN Gate Stack Structure on m‐plane Trench Sidewall 在m面沟槽侧壁上使用AlSiO/AlN栅极堆叠结构的垂直GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的高沟道迁移率和常关操作
相关领域
沟槽
MOSFET
堆栈（抽象数据类型）
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期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Masakazu Kanechika; Kenji Ito; Tetsuo Narita; Kazuyoshi Tomita; Shiro Iwasaki; et al 出版日期：2024-03-23 |
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