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标题
Single Pulse Charge Pumping Technique Improvement for Interface-States Profiling in the Channel of MOSFET Devices
MOSFET器件沟道界面态分布的单脉冲电荷泵技术改进
相关领域
MOSFET 仿形（计算机编程） 晶体管 符号 场效应晶体管 材料科学 电气工程 电子工程 分析化学（期刊） 算法 光电子学 物理 拓扑（电路） 计算机科学 数学 工程类 化学 电压 色谱法 算术 操作系统
网址
https://doi.org/10.1109/tdmr.2023.3315931
DOI
10.1109/tdmr.2023.3315931 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
作者：Dhiaelhak Messaoud; Boualem Djezzar; Mohamed Boubaaya; Abdelmadjid Benabdelmoumene; Boumediene Zatout; et al
出版日期：2023-09-15
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丘比特 在 2025-12-09 20:37:56 发布自辽宁，悬赏 10 积分
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