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Improved Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Conductivity-Modulated p-NiO Junction Termination Extension |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Weibing Hao; Feihong Wu; Wenshen Li; Guangwei Xu; Xuan Xie; et al 出版日期:2023-02-09 |
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(2025-6-4)