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Experimental investigations on ferroelectric dielectric breakdown in sub-10 nm Hf0.5Zr0.5O2 film through comprehensive TDDB characterizations
亚10nm Hf0.5Zr 0.5 O2薄膜铁电介质击穿的TDDB综合表征实验研究
相关领域
材料科学
铁电性
电介质
随时间变化的栅氧化层击穿
薄膜
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分析化学(期刊)
光电子学
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Xiaopeng Li; Wei Wei; Jixuan Wu; Lu Tai; Xuepeng Zhan; et al 出版日期:2022-10-01 |
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