| 标题 |
 Hydrogen bonding-driven Ohmic contact in Sc2CT2 (T=H, F, OH) based field-effect transistors 相关领域
欧姆接触
材料科学
异质结
光电子学
肖特基势垒
晶体管
半导体
工作职能
肖特基二极管
小型化
电极
接触电阻
场效应晶体管
数码产品
宽禁带半导体
半导体器件
金属半导体结
电子工程
电接点
砷化镓
纳米技术
氢
肖特基效应
电子结构
电子能带结构
带隙
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：APL Electronic Devices 作者：Jiaxiang Li; Zihao Xu; Yu Shu; Yinggan Zhang; Zhou Cui; et al 出版日期：2025-09-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
嘻嘻哈哈
GingerF
时尚梦易
Nole
蕃茄鱼
GG
Kao
千山keyantong
14and15
fantasy
Samuel
OK
yjh123
不潮薯饼
无名氏
Haiverxin
kento
youth
小何
Zzzz
皖公网安备34019202002308
