Influence of barrier design on current collapse in high voltage AlGaN/GaN HEMTs

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标题	Influence of barrier design on current collapse in high voltage AlGaN/GaN HEMTs
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6523362/6531927/06531986...
DOI	10.1109/irps.2013.6531986 doi
其它	期刊：2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：S. DasGupta; L. Biedermann; M. Sun; R. J. Kaplar; M. J. Marinella; et al 出版日期：2013-06-27
求助人	cccxxx 在 2026-03-26 23:55:23 发布自江苏，悬赏 10 积分
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