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 Atomic-Layer-Deposited Ultrathin InAlZnO FETs-Based 2T0C DRAM Cells With Long Data Retention and Multilevel Storage 基于原子层沉积InAlZnO FETs的2T0C超薄DRAM长数据保持和多级存储
相关领域
德拉姆
数据保留
光电子学
材料科学
图层（电子）
原子层沉积
动态随机存取存储器
纳米技术
计算机科学
电气工程
工程类
半导体存储器
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Wen Xiong; Binbin Luo; Wei Meng; Xiaohan Wu; Bao Zhu; et al 出版日期：2024-02-16 |
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