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  Analysis of interface trap induced ledge in β-Ga2O3 based MOS structures using UV-assisted capacitance–voltage measurements 利用紫外辅助电容电压测量分析β-Ga 2 O3基MOS结构中界面陷阱诱导壁架
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Aditya K. Bhat; Hyun-Seop Kim; Abhishek Mishra; Matthew D. Smith; Michael J. Uren; et al 出版日期：2024-05-17 |
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