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 Effects of Zr content and annealing on ferroelectricity of as-grown crystalline Hf1-xZrxO2 thin films using Hf[Cp(NMe2)3] and Zr[Cp(NMe2)3] precursors via atomic layer deposition 相关领域
铁电性
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期刊：Ceramics International 作者：Youkyoung Oh; Hyo‐Bae Kim; Seungwon Lee; Min Ji Jeong; Tae Joo Park; et al 出版日期：2022-06-06 |
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