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 Transient turn-on characteristics of Si RBDT and SiC MOSFET under nanosecond current pulse range 纳秒电流脉冲范围下Si RBDT和SiC MOSFET的瞬态导通特性
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Zhengheng Qing; Lin Liang; Tong Liu 出版日期：2024-05-10 |
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