Superior device characteristics of needle-contact Ge Schottky barrier diodes for low-power applications

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标题	Superior device characteristics of needle-contact Ge Schottky barrier diodes for low-power applications 适用于低功耗应用的针接触锗肖特基势垒二极管的卓越器件特性相关领域肖特基势垒材料科学光电子学二极管肖特基二极管金属半导体结
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad2621
DOI	10.35848/1347-4065/ad2621 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Riku Ando; Yoriko Suda; Narihiko Maeda 出版日期：2024-02-05
求助人	zhang 在 2025-08-29 22:41:29 发布，悬赏 10 积分
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