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 Incorporation Effect of Thin Al2O3 Layers on ZrO2–Al2O3 Nanolaminates in a Composite Oxide–High-κ-Oxide Stack for Floating-Gate Flash Memory Devices 浮栅闪存器件用复合氧化物-高κ-氧化物叠层中Al2O3薄层对ZrO2-Al2O3纳米层压板的掺入效应
相关领域
材料科学
氧化物
随时间变化的栅氧化层击穿
电介质
介电强度
复合数
光电子学
堆栈（抽象数据类型）
复合材料
栅氧化层
电气工程
晶体管
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计算机科学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Moon Sig Joo; Seung Ryong Lee; Hong-Seon Yang; Kwon Hong; Se-Aug Jang; et al 出版日期：2007-04-25 |
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