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标题
P‐5.7: Selective Laser Lift‐off of GaN Micro‐LED from a Sapphire Substrate Using 266‐nm Solid‐state Laser
P-5.7：使用266-nm固态激光器从蓝宝石衬底选择性激光剥离GaN微LED
相关领域
材料科学 光电子学 硅 基质（水族馆） 激光器 蓝宝石 蓝宝石上的硅 外延 光学 纳米技术 图层（电子） 绝缘体上的硅 海洋学 物理 地质学
网址
https://doi.org/10.1002/sdtp.16094
DOI
10.1002/sdtp.16094 doi
其它 期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers
作者：Junchao Yuan; Fuhao Chen
出版日期：2022-10-01
求助人
完美世界 在 2025-07-30 06:29:23 发布，悬赏 10 积分
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