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标题
Stable High Temperature Operation of p-GaN Gate HEMT With Etch-Stop Layer
具有刻蚀停止层的p-GaN栅极HEMT的稳定高温工作
相关领域
高电子迁移率晶体管 光电子学 材料科学 图层(电子) 宽禁带半导体 氮化镓 蚀刻(微加工) 逻辑门 电气工程 晶体管 电压 纳米技术 工程类
网址
DOI
10.1109/LED.2024.3352046 doi
求助人
美满的书南 在 2025-02-27 16:52:22 发布自湖北,悬赏 10 积分
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