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美满的书南
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2025-01-23 加入
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Stable High Temperature Operation of p-GaN Gate HEMT With Etch-Stop Layer
2个月前
已完结
Effects of the RF bias power of ICP etching on the electrical properties of n-type Ohmic contact on high-Al-fraction AlGaN
2个月前
已完结
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帮大忙了
2个月前
点赞，速度真快
2个月前
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Stable High Temperature Operation of p-GaN Gate HEMT With Etch-Stop Layer
Effects of the RF bias power of ICP etching on the electrical properties of n-type Ohmic contact on high-Al-fraction AlGaN
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