Review on the Reliability Mechanisms of SiC Power MOSFETs: A Comparison Between Planar-Gate and Trench-Gate Structures

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标题	Review on the Reliability Mechanisms of SiC Power MOSFETs: A Comparison Between Planar-Gate and Trench-Gate Structures SiC功率MOSFETs可靠性机制综述：平面栅极与沟槽栅极结构的比较相关领域材料科学 MOSFET 碳化硅可靠性（半导体）功率MOSFET 光电子学晶体管电气工程功率（物理）工程类计算机科学电压物理量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2023.3265864
DOI	10.1109/tpel.2023.3265864 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Jiaxing Wei; Zhaoxiang Wei; Hao Fu; Junhou Cao; Tuanzhuang Wu; et al 出版日期：2023-07-01
求助人	ppboyindream 在 2024-05-08 19:15:12 发布自上海，悬赏 10 积分
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