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 Tellurium‐Induced Phase‐Orbital Coupling Enables High‐Mobility p‐Type Tin Oxide Transistor 相关领域
材料科学
钝化
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期刊：Advanced Functional Materials 作者： 出版日期：2026-09-09 |
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(2025-6-4)
cdercder
Nole
X的三次方
Kao
dde
DW
DOC_XIONG
呵呵呵
GingerF
一一一
zhangchi
xing_xing
aajhajkahna
初景
aaaa
犹豫的大碗
无极微光
殷勤的紫槐
清爽老九
FIN
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