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Improvement in drain-induced-barrier-lowering and on-state current characteristics of bulk Si fin field-effect-transistors using high temperature Phosphorus extension ion implantation |
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期刊:Solid-State Electronics 作者:Yoshiaki Kikuchi; Toby Hopf; Geert Mannaert; Jean-Luc Everaert; Stefan Kubicek; et al 出版日期:2018-11-16 |
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(2025-6-4)