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 First-Principles Calculation Guided High-Purity Layer Control of 4 in. MoS2 by Plasma RIE 第一性原理计算引导的4英寸高纯度层控制。等离子体RIE法测定二硫化钼
相关领域
二硫化钼
材料科学
薄脆饼
纳米电子学
化学气相沉积
等离子体增强化学气相沉积
蚀刻（微加工）
纳米技术
表面粗糙度
原子层沉积
等离子体
反应离子刻蚀
图层（电子）
半导体
等离子体刻蚀
光电子学
复合材料
物理
量子力学
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期刊：Chemistry of Materials 作者：Changmin Kim; Muyoung Kim; Dong−Hyun Cho; Chaitanya Kaluram Kanade; Hyunho Seok; et al 出版日期：2023-01-18 |
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