Study on the 12 in. wafer uniformity of high aspect ratio TSV filling by using rotation cathode

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标题	Study on the 12 in. wafer uniformity of high aspect ratio TSV filling by using rotation cathode 12英寸的研究。利用旋转阴极实现高纵横比TSV填充的晶片均匀性相关领域薄脆饼材料科学纵横比（航空）阴极旋转（数学）光电子学复合材料纳米技术电气工程工程类几何学数学
网址	https://doi.org/10.1016/j.mee.2024.112181
DOI	10.1016/j.mee.2024.112181 doi
其它	期刊：Microelectronic Engineering 作者：Chi Zhang; Guoxian Zeng; Pengrong Lin; Hengtong Guo; ShiMeng Xu; et al 出版日期：2024-03-20
求助人	yjy 在 2025-06-07 16:52:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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