InAsSb-based XBnn bariodes grown by molecular beam epitaxy on GaAs

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标题	InAsSb-based XBnn bariodes grown by molecular beam epitaxy on GaAs GaAs上分子束外延生长InAsSb基XBnn钡极相关领域分子束外延光电子学暗电流光电二极管二极管异质结材料科学带隙光电探测器泄漏（经济）外延锑化镓探测器光学图层（电子）超晶格物理纳米技术经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2011.11.076
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2011.11.076 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Eliezer Weiss; O. Klin; Steve Grossmann; N. Snapi; Inna Lukomsky; et al 出版日期：2011-12-08
求助人	DH 在 2025-07-18 08:59:23 发布自湖南，悬赏 10 积分
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