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 Reduced threshold current density of GaN-based green laser diode by applying polarization doping p-cladding layer 极化掺杂p包层降低GaN基绿光激光二极管的阈值电流密度
相关领域
材料科学
包层（金属加工）
兴奋剂
二极管
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光学
光电子学
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光纤激光器
化学
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波长
物理
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期刊：Chinese Optics Letters 作者：Lingrong Jiang; Jianping Liu; Lei Hu; Liqun Zhang; Aiqin Tian; et al 出版日期：2021-01-01 |
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