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 Simulation and comparison of current-voltage characteristics of advanced MESFET by varying channel materials (Si, Ge, GaAs) and comparing it with single gate MOSFET to optimize conductivity 不同沟道材料（Si、Ge、GaAs）先进MESFET电流-电压特性的模拟和比较及其与单栅MOSFET的比较以优化电导率
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期刊：AIP conference proceedings 作者：John Abhilash Eguru; Deepak Arun 出版日期：2023-01-01 |
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