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 Study of zinc doped In0.53Ga0.47As/InP/InAlAs/InP heterostructures by time-of-flight; magnetic secondary ion spectrometry and high-energy x-ray photoelectron spectroscopy 掺锌In0.53 Ga 0.47 As/InP/InAlAs/InP异质结构的飞行时间研究；磁二次离子光谱和高能x射线光电子能谱
相关领域
X射线光电子能谱
材料科学
异质结
兴奋剂
二次离子质谱法
光电子学
光谱学
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分析化学（期刊）
锌
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化学
物理
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期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：G. Tsamo Tagougue; M. Veillerot; E. Martínez; Vincent Thoréton; M. Martin; et al 出版日期：2025-05-01 |
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