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 Characterization of the slow-state traps in 4H–SiC P-type MOS capacitor by a preconditioning technique with high positive voltage stress 用高正电压应力预处理技术表征4H-SiC p型MOS电容器中的慢态陷阱
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期刊：Micro and Nanostructures 作者：Kanghua Yu; Yifan Liu; Wenhao Zhang; Haonan Chen; Chengzhan Li; et al 出版日期：2023-01-12 |
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