The origin of infrared bands in nitrogen-doped Si

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标题	The origin of infrared bands in nitrogen-doped Si 掺氮硅红外波段的起源相关领域材料科学红外线的兴奋剂氮气红外光谱学固体力学分析化学（期刊）纳米技术光电子学环境化学光学复合材料有机化学化学物理
网址	https://doi.org/10.1007/s10853-021-06784-3
DOI	10.1007/s10853-021-06784-3 doi
其它	期刊：Journal of Materials Science 作者：M. S. Potsidi; T. Angeletos; C. A. Londos 出版日期：2022-02-18
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